第1页
PRODUCT INTRODUCTION
MOLECULAR BEAM EPITAXY
分子束外延
网址：www.sky.ac.cn
技术服务：86-24-23826838
MBE 销售热线：024-23826855 18640203600
地址：中国沈阳市浑南新区新源街 1 号 邮编：110179
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03 PAGESKY MBEMolecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 04SKY MBE中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称“公司”）创建于1958年，公司总部位于辽宁省沈阳市浑南区，建筑面积3.5万平方米。 公司承担了国家“863计划”、“02专项”、“国家重点研发计划”等国家级科技专项。目前，公司有超过3500台的科研仪器和万余台的真空干泵产品，遍及国内30个省、市、自治区，并出口到美国、加拿大、澳大利亚、日本等国家和地区。公司设立有2个全资子公司——上海上凯仪真空技术有限公司、中科仪（南通）半导体设备有限责任公司；1个分公司——中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司上海分公司。国家科技进步奖 6 项中国科学院及省部级科技进步奖 20 项拥有专利 71 项国家真空仪器装置工程技术研究中心 国家分子束外延技术开发实验基地 真空技术装备国家工程研究中心公司简介COMPANY INTRODUCTION沈阳科仪积累60余年的设计、生产及应用经验，长期专注于超高/超洁净真空、无油真空获得、真空薄膜制备及系统控制等技术的研究、应用...
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文本内容
第2页
01 Molecular Beam Epitaxy 02
SKY MBE
PAGE Molecular Beam Epitaxy PAGE
CONTENTS 目录 聚焦 MBE
做国际领先的高端设备技术服务提供商新世界平台新入口注册网站
1
公司简介
03
主营业务
05
关于MBE
2
MBE原理
08
MBE应用领域
08
MBE设备研制历程
09
关于荣誉
4
获奖情况
35
专利情况
37
定制化产品
3-2
MBE客户案例
17
工艺支持
3-3
合作伙伴
19
技术服务
3-5
技术服务流程
31
MBE配套设备
33
核心部件
3-4
核心部件整机展示
21
束源炉
23
SKY MBE
3
SKY MBE平台
11
系列化产品
3-1
FW60简介
13
第六代MBE产品序列
12
FW110简介
15
P裂解炉
23
P回收系统
24
As裂解炉
25
Sb裂解炉
26
Ga/In束源炉
27
Al束源炉
28
GaTe束源炉
29
Si/Be束源炉
30
第3页
03 PAGE
SKY MBE
Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 04
SKY MBE
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称“公司”）创建于1958年，
公司总部位于辽宁省沈阳市浑南区，建筑面积3.5万平方米。 公司承担了国家“863
计划”、“02专项”、“国家重点研发计划”等国家级科技专项。目前，公司有超
过3500台的科研仪器和万余台的真空干泵产品，遍及国内30个省、市、自治区，并
出口到美国、加拿大、澳大利亚、日本等国家和地区。
公司设立有2个全资子公司——上海上凯仪真空技术有限公司、中科仪（南通）
半导体设备有限责任公司；1个分公司——中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司上
海分公司。
国家科技进步奖 6 项
中国科学院及省部级科技进步奖 20 项
拥有专利 71 项
国家真空仪器装置工程技术研究中心 国家分子束外延技术开发实验基地 真空技术装备国家工程研究中心
公司简介
COMPANY INTRODUCTION
沈阳科仪积累60余年的设计、生产及应用经验，长期专注于超高/超洁净真空、
无油真空获得、真空薄膜制备及系统控制等技术的研究、应用及发展，形成了干式
真空泵及真空仪器装备两大产品板块，是我国集成电路装备和真空仪器设备的研
制、生产基地。
核心技术
国家第二批专精特新“小巨人”企业
国家高新技术企业
国家知识产权优势企业
辽宁省技术创新示范企业
辽宁省创新型中小企业
辽宁省省级企业技术中心
科研实力
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第4页
05 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 06
SKY MBE SKY MBE
屏蔽涡旋系列
苛刻工艺制程用泵 中等工艺制程用泵 清洁工艺制程用泵
涡旋干式真空泵
双侧无油涡旋系列
罗茨干式真空泵 真空仪器设备
沈阳科仪是国内可批量应用于 12 寸集成电路行业的干式真空泵龙头制造企业，产品目前已在国内多家知
名集成电路和光伏巨头企业通过工艺验证并批量使用。打破了欧美及日韩企业对同类产品的长期垄断地位，实
现集成电路产业核心零部件国产化“0”的突破，为全产业链国产化的贯通奠定了重要基础。
针对集成电路的薄膜沉积、刻蚀、离子注入制程（约占主要工艺过程的 70%），研发三大系列干式真空
泵产品。
公司长期致力于高端科研仪器设备的研发制造，为我国重大科技基础设施的建设发展做出了贡献。在真空
镀膜领域，公司研发形成了磁控溅射、离子束溅射、电子束蒸发、高温真空无油润滑、高性能高稳定性束源炉、
复合镀膜等多项技术。通过多年的研发创新，公司现已开发完成第六代分子束外延设备。
罗茨干式真空泵
螺杆干式真空泵
主营业务
MAIN BUSINESS
沈阳科仪承接了中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的纳
米真空互联实验站项目，纳米真空互联实验站（Nano-X）是世界首
个按国家重大科技基础设施标准在建的集材料生长、器件加工、测试
分析为一体的纳米领域大科学装置。真空互联装置通过超高真空管道
把各功能设备相互连接，可解决传统超净间模式中难以解决的尘埃、
表面氧化和吸附等污染问题。
真空互联
沈阳科仪参与承接了北京光源、合肥光源，大连光源、
上海光源、软 X 射线、硬 X 射线加速器、储存环、前端、
光束线等国家重大科学基础设施的建设。
大科学装置
PVD 设备 MBE 设备 核心部件
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第5页
Molecular Beam Epitaxy PAGE 08
SKY MBE SKY MBE
分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy) 是一种在超高、超洁净真空条件下，高度可控的外延生长技术，
通过多个高纯束流源提供的原子或分子束之间的相互作用，在加热的晶体衬底上外延生长薄膜材料，其控制精
度可达到单原子层尺度。
科学前沿
Science
新兴材料
Emerging Materials
红外探测
IR Detectors
微波与太赫兹
Microwave & Terahertz
5G/6G 通讯
Communication
激光器与光源
Lasers
07 PAGE Molecular Beam Epitaxy
守
正
创
新
勇挑重担打破垄断
“
“
“
1979 年
“
研发成功国内首台 MBE
80%
国产 MBE 市场覆盖率
近半个世纪
MBE 案例和客户口碑积累
MBE PRINCIPLE
MBE 原理
MBE APPLICATION
MBE 应用领域
关于 MBE 2 2 关于 MBE
第6页
09 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 10
SKY MBE SKY MBE
1979
1979 年，我国第一台 MBE 设备研制成功。
自 MBE 技术问世之后，巴黎统筹委员会就对我国实施 MBE 设备及
相关材料的禁运。为打破国外的垄断，沈阳科仪与其他单位的科研人员
自力更生潜心钻研，在 1979 年研制成功了首台国产分子束外延设备。
2019
2019 年再一次面临禁运，国产化迫在眉睫。
2019 年 12 月，美国再次针对《瓦森纳协定》最新一轮的修订在第
三大类“电子产品”中明确列出“固体源或气源的分子束外延设备”，法国、
德国、芬兰等国家也对出口我国 MBE 设备和关键部件做了严格的限制。
1991
1991 年关键部件出口东欧，打破巴统禁运。
20 世纪 70~80 年代，在国家政策的支持下，我国 MBE 技术和设备
得到了快速发展，因国产 IV 型 MBE 设备已达到国际同类产品水平并出
口关键部件至东欧，迫使“巴黎统筹委员会”解除了对我国的禁运和封锁。
2020
2023
2020 年，FW60 型 MBE 设备研制成功并实现量产。
截至目前，FW60 型 MBE 已成功交付 20 余台。
2023 年，FW110 型 MBE 设备研制成功并具备
量产能力，首台 FW110 型 MBE 设备成功交付。
1981 年，独立束源、快速换片型分子束外延设备（FW-II 型）研制成功。
1983 年，时任中共中央总书记胡耀邦通知观看了沈阳科仪研制的分子束外延生长设备。
1985 年，独立三室结构微机控制分子束外延设备（FW-III 型）研制成功。
1989 年，FW-IV 型分子束外延设备研制成功，参加在在莫斯科举办的“中国科技日”展览。
1990 年，金属有机分子束外延设备 MOMBE（FW-V 型）研制成功。
1980
1990
~
MBE R&D HISTORY
MBE 设备研制历程
关于 MBE 2 2 关于 MBE
第7页
11 PAGE Molecular Beam Epitaxy
SKY MBE SKY MBE
Molecular Beam Epitaxy PAGE 12
沈阳科仪已经形成了特有的 MBE 技术路线。从核心技术研发到小批量验证，再到应用验证，最后形成批
量产业化推广。
沈阳科仪的 MBE 业务，以核心部件、工艺包、定制化整机、系列化整机、技术服务五大业务模块为关键
发展方向，形成了各业务模块相辅相成、互为验证的规模化五边形架构。
核心
部件
工艺
支持
我们拥
有涵盖工艺
生长、材料测
试等多种技术
领域的专业工艺
团 队 支 持， 与 国
内 顶 尖 的 MBE 科
学家陈意桥博士、
曾一平研究员团
队等进行深度合
作。可提供工艺
稳定、同一工艺样
品重复性高的成熟工
艺包。
定制化
产品
我们与客户密切合作
协 同 创 新， 量 身 定 制 的
MBE 系统可满足客户多样
化的科研及生产需求，在
实际应用环境中不断积累研发及应
用经验，实现技术赶超。
第六代系列化
MBE 设备在衬底尺寸及
数量方面，涵盖了科研及生产
领域的不同需求。在材料体系方
面，完成了 III-V 族化合物、II-VI
族化合物、IV 族化合物、氧化物、
氮化物等主流体系的系列化布局。
技术
服务
我们拥有经验丰富的专业服务团队，业内领先的
关键部件、耗材备件基地和测试平台，可优质高效地
提供实验室搬迁，设备清洗修复等个性化服务、预防
性维护及定期培训指导。
系列化
产品
我们拥有核心技术的自主知识产权，并且已实现关键
核心部件的国产化，可提供束源炉、衬底架、溅射离子泵、
衬底除气台、线性机械手、高能电子衍射仪和涡
旋干泵等关键部件的全方面支持。
SKY MBE INTRODUCTION
SKY MBE 平台 第六代 MBE 产品序列
FW-VI MBE PRODUCT SERISE
MBE 型号 FW30 FW45 FW60 FW90 FW110 FW140
衬底 2 吋 3 吋 4 吋 /3x2 吋 10 吋 /4X4,7x3 吋 12 吋 /2X6,7x4 吋 20 吋 /7X6,14x4 吋
衬底加热 800℃ 800℃ 1050℃ 1000℃ 1000℃ 1050℃
腔体数量 3 3 3 4~5 4~5 5~6
应用材料 III-V、II-VI 族、锗
硅
III-V、II-VI 族、锗硅、
氧化物
III-V、II-VI 族、锗硅、
氧化物
III-V、II-VI 族、锗硅、
氧化物
III-V、II-VI 族、锗
硅 III-V、II-VI 族
在线检测 束流、RGA、
RHEED
束流、晶振、
RGA、RHEED
束流、晶振、
RGA、RHEED
束流、晶振、
RGA、RHEED
束流、RGA、
RHEED
束流、RGA、
RHEED
束源数量 8 10 12 12 11 12
束源挡板 旋转式 翻转式 翻转式 翻转式 摆动式 摆动式
束源温度 1500±0.1℃ 1500±0.1℃ 1400±0.1℃ 1400±0.1℃ 1400±0.1℃ 1400±0.1℃
膜厚不均匀性 ≤ ±2% ≤ ±2% ≤ ±1.5% ≤ ±2% ≤ ±2% ≤ ±2%
SKY MBE 3 3-1 系列化产品
MBE
平台
第8页
SKY MBE SKY MBE
FW60 13 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 14
MBE 型号 FW60
衬底 4 吋 /3x2 吋（可配置至 6 吋）
衬底加热 1050℃
腔体数量 3
应用材料 III-V、II-VI 族、锗硅、氧化物
在线检测 束流、晶振、RGA、RHEED
束源数量 12
束源挡板 翻转式
束源温度 1400±0.1℃
膜厚不均匀性 ≤ ±1.5%
FW60 PRODUCT DESCRIPTION
FW60 简介
设备多功能性强，适用于多种化合物半导体材料的前沿研发及
小批量生产
可配置多达 12 个束源炉，束流挡板瞬时可控，生长过程灵活性强，
可实现复杂结构薄膜精确生长
采用完全自主研发专业生长操作软件，整机高可靠性，减少设备
故障时间及部件更换成本
结构设计简单可靠，紧凑，节省实验室空间占用
可拓展至真空互联系统
设备性价比高，运营成本低
标配单片 4 吋、3x2 吋衬底；可选配至 6 吋衬底
系列化产品 3-1 3-1 系列化产品
第9页
SKY MBE SKY MBE
FW
15 PAGE Molecular Beam Epitaxy
110
Molecular Beam Epitaxy PAGE 16
MBE 型号 FW110
衬底 12 吋 /2X6,7X4 吋
衬底加热 1000℃
腔体数量 4~5
应用材料 III-V、II-VI 族、锗硅
在线检测 束流、RGA、RHEED
束源数量 11
束源挡板 摆动式
束源温度 1400±0.1℃
膜厚不均匀性 ≤ ±2%
FW110 PRODUCT DESCRIPTION
FW110 简介
系列化产品 3-1 3-1 系列化产品
可拓展至真空互联系统
标配 7x4 吋、2x6 吋衬底
设备性价比高，运营成本低
模块化设计，提高设备互换性及拓展性
现场安调时间不超过 3 周，最大化增加设备运行时间
工艺成熟稳定，适用于大尺寸化合物半导体器件的批量生产
设备可靠性高，可低故障稳定运行时间超过 90%，提高设备产出效率
可配置 11 个束源炉，工艺稳定性高，同一工艺样品重复性好，成膜参数一致
采用完全自主研发专业生长操作软件，保证生长过程中的可重复性和安全性
第10页
17 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 18
SKY MBE SKY MBE
MBE CUSTOMER CASE
MBE 客户案例
MBE CUSTOMER CASE
MBE 客户案例
主要用于高效太阳能电池，纳米热电器件，量子点光电器件，
半导体微纳加工技术。
中科院半导体研究所
主要用于 III-V 族化合物半导体，高速激光器芯片，超快激光器
及核心元件可饱和吸收镜等。
青岛翼晨镭硕科技有限公司
主要用于生长氮化物 III-V 族材料。
电子科技大学
主要用于半导体光电子材料和器件的研究，半导体量子阱激光器。
西南技术物理研究所 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
主要用于 III-V 族化合物半导体，锑化物半导体，半导体激光器、
红外探测器材料和器件研究等。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主要用于 III-V 族材料的外延生长及其光电器件研究，其他新
型光电器件的研究。
中国科学院物理研究所
主要用于半导体光电材料与器件，低维半导体材料与光电特性领域
研究，包括量子级联激光器、量子阱激光器，以及 InAs/GaSb II 类超
晶格红外探测器及新型红外光电器件等。
中国科学院上海技术物理研究所
定制化产品 3-2 3-2 定制化产品
第11页
19 PAGE Molecular Beam Epitaxy
SKY MBE SKY MBE
Molecular Beam Epitaxy PAGE 20
SKY MBE
拥有核心技术自主知识产权
实现关键核心部件的国产化
永葆中国心
团队带头人
陈意桥
中科院微系统所 研究员
中科院上海微系统与信息技术研究所学术委员
会委员，国家 QR 计划特聘专家，太赫兹固态技术
实验室主任，IEEE 高级会员。
长期从事 III-V 族化合物半导体材料、器件及
MBE 设备的研发及产业化，主持完成 20 余项包括
美国以及国家 863、973 及中科院知识创新工程等
研发项目。
创立苏州焜原光电有限公司，致力于 MBE 材料
产业化。
团队带头人
曾一平
中科院半导体所 研究员
中科院半导体研究所研究员学术委员会委员，
享受国务院特殊津贴。
长期从事分子数外延化合物半导体材料及器件
研究，曾采用国产 MBE 设备，率先在国内研制成功
量子阱激光器材料和超高迁移率二维电子气材料。
主持承担过 863、973、国家重点研发计划等多
项国家科技项目，先后获得国家和省部级以上科技
奖项 7 项。
沈阳科仪自 1979 年起一
直专注于 MBE 设备研发，40
余年间沈阳科仪始终与半导体
所、物理所、微系统所、技物
所保持密切合作关系，先后推
出了我国第一至五代 MBE 设
备，目前已完成第六代设备的
研发并实现量产。
合作伙伴
COOPERATIVE PARTNERS
工艺支持 3-3
工艺团队支持：陈意桥团队、曾一平团队
第12页
21 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 22
SKY MBE SKY MBE
离子泵
衬底架
屏蔽涡旋真空泵
高能电子衍射仪
线性机械手
束源炉
核心部件
CORE COMPONENT
核心部件 3-4 3-4 核心部件
第13页
23 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 24
SKY MBE SKY MBE
束源炉
EFFUSION CELLS
核心部件 3-4 3-4 核心部件
P 裂解炉 P 回收系统
磷裂解炉采用三温区设计，分别为蒸发区、凝结区和裂解区。通过多温区独立控温，既可以满足彻底的源
除气，又可以独立控制各温区的梯度，精确控制红磷与白磷的转化及白磷的蒸发。使白磷通过高温裂解区产生
的 P2，具有较高的粘附系数，且束流稳定、重复性好，利于材料生长。
P 裂解炉技术参数
源料类型 P
坩埚容量 500cc
安装法兰 CF40/CF63
真空内尺寸 D36mm x 290mm
温区数量 3 个可独立控温温区
加热温度
Cra：1500℃
Bulk R：650℃
Bulk W：650℃
温度稳定性 ±0.1℃
裂解组分比 P2/P4 ≥ 150
平均无故障时间（MTBF） ≥ 5000 小时
P 回收系统技术参数
安装法兰 CF200
一级回收腔
极限真空度 ≤ 6.67x10-6Pa
二级回收腔
极限真空度 ≤ 10Pa
一级回收腔体尺寸 D300mm x 600mm
二级回收腔体尺寸 D150mm x 200mm
磷回收系统由一级回收腔体和二级回收腔体组成，利用
磷在真空中加热后漂移到冷端的原理，将磷元素先回收到一
级回收腔体，再切断一级回收腔体和生长室，加热一级回收
腔体，使磷元素漂移到二级回收腔体，最终实现磷元素的回
收转移。
第14页
25 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 26
SKY MBE SKY MBE
束源炉
EFFUSION CELLS
核心部件 3-4 3-4 核心部件
As 裂解炉 Sb 裂解炉
砷裂解炉采用双温区设计，可以实现 1000℃的高温裂解，具有较高的裂解效率。通过设计专用的针阀阀
芯锥度和微型刀口密封结构，提高束流调节的线性度，满足束流调节范围在 3-4 个数量级，有利于用户生长高
质量的超薄层结构。结合多孔空间分布式喷口技术，使束流均匀可控，大幅度提高材料的利用率，并减少了腔
室中材料的有害沉积和层状物形成。
As 裂解炉技术参数
源料类型 As
坩埚容量 500cc
安装法兰 CF40/CF63
真空内尺寸 D36mm x 290mm 或 D36mm x (250-350)mm
加热方式 钽丝加热，双温区
最高连续工作温度 Cra：1250℃
Bulk：500℃
最高除气温度 Cra：1250℃
Bulk：500℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
Sb 裂解炉技术参数
源料类型 Sb/Te
坩埚容量 200cc
安装法兰 CF63
真空内尺寸 D56mm x 343mm
加热方式 钽丝加热，三温区
最高连续工作温度
Cra：1200℃
Cond：1100℃
Bulk：600℃
最高除气温度
Cra：1200℃
Cond：1100℃
Bulk：600℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
锑裂解炉采用三温区设计，可以实现 1200℃的高温裂解，具有较高的裂解效率。坩埚和针阀全部采用
PBN 材质，可以避免 Sb 金属对裂解炉金属材料的腐蚀，有利于提高裂解炉使用寿命和提供高纯度的 Sb 束流。
通过设计专用的喷嘴，使束流均匀可控，大幅度提高材料的利用率，并减少了腔室中材料的有害沉积和层状物
形成。
第15页
27 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 28
SKY MBE SKY MBE
束源炉
EFFUSION CELLS
核心部件 3-4 3-4 核心部件
Ga/In 束源炉 Al 束源炉
镓 / 铟束源炉为热唇炉，采用双温区电阻丝加热，最高除
气温度可达到 1600℃。载料坩埚，底部为圆柱状，顶部为圆锥状，
能够有效抑制椭圆缺陷和束流的开启涨落，同时具有优秀的束
流均匀性和束流长期稳定性。
Ga/In 束源炉技术参数
源料类型 Ga/In
坩埚容量 100cc/175cc
安装法兰 CF63
真空内尺寸 D56mm x 290mm 或 D56mm x (250-350)mm
加热方式 钽丝加热，双温区
最高连续工作温度 1250℃
最高除气温度 1500℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
Al 束源炉技术参数
源料类型 Al
坩埚容量 100cc
安装法兰 CF63
真空内尺寸 D56mm x 290mm 或 D56mm x (250-350)mm
加热方式 钽丝加热，双温区
最高连续工作温度 1200℃
最高除气温度 1500℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
铝束源炉为冷唇炉，采用双温区电阻丝加热，最高除气温
度可达到 1600℃。载料坩埚具有延长的唇，可以有效抑制 Al
的蔓延效应，避免 Al 蔓延到源炉电阻丝，造成短路并损坏昂贵
的源炉。载料坩埚，底部为圆柱状，顶部为圆锥状，能够有效
抑制椭圆缺陷和束流的开启涨落，同时具有优秀的束流均匀性
和束流长期稳定性。
第16页
29 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 30
SKY MBE SKY MBE
束源炉
EFFUSION CELLS
核心部件 3-4 3-4 核心部件
GaTe 束源炉 Si/Be 束源炉
碲化镓束源炉为双温区电阻丝加热，属低温源炉，具有优
秀的束流均匀性和束流长期稳定性。
GaTe 束源炉技术参数
源料类型 GaTe
坩埚容量 30cc
安装法兰 CF63
真空内尺寸 D36mm x 290mm 或 D36mm x (250-350)mm
加热方式 钽丝加热，双温区
最高连续工作温度 600℃
最高除气温度 1000℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
Si/Be 束源炉技术参数
源料类型 Si/Be
坩埚容量 5cc/12cc
安装法兰 CF63
真空内尺寸 D30mm x 290mm 或 D36mm x 290mm
加热方式 钽丝加热，单温区
最高连续工作温度 1300℃
最高除气温度 1500℃
温度稳定性 ±0.1℃
外烘烤温度 250℃
硅 / 铍束源炉为单温区电阻丝加热，属掺杂源炉，具有优
秀的束流均匀性和束流长期稳定性。
第17页
31 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 32
技术
服务
SKY MBE SKY MBE
技术服务
TECHNICAL SERVICE
维修、更新部件 清洗及预处理 拆解
CHAIJIE
5 4 3
组装 部件除气 厂内调试验收
6 7 8
产品交付 客户现场调试验收
9
MBE 设备 测试 发运
1 2 SERVICE TECHNICAL
3-5 技术服务
第18页
33 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 34
SKY MBE SKY MBE
退火炉 高温真空除气炉
MBE系统中的诸多关键部件，在安装使用之前需要进行退火处理，退火炉可以作为配套设备，为MBE系统
客户提供方便。
束源炉的除气，是MBE系统使用的必要
步骤，配置专用的除气炉，可以提升系统的
运行效率。除气炉与MBE外延室的外型一
致，并配备相同规格的液氮冷阱，可单独作
为束源炉的除气设备，必要时也可以与外延
室互为备份。
退火炉技术参数（可定制）
真空室尺寸 D850mm x 1200mm
冷却方式 双层水冷
冷态极限真空度 ≤ 6.67x10-5Pa
热态极限真空度 ≤ 6.67x10-4Pa
系统漏率 ＜ 10-8Pa·L/s
最高温度 1400℃
工作温度 1000℃ -1200℃
有效加热区 600mm x 500mm x 400mm
SUPPORTING EQUIPMENT
MBE 配套设备
除气炉技术参数（可定制）
真空室尺寸 D600mm x 800mm
极限真空指标 ≤ 6.67x10-9Pa
系统漏率 ＜ 10-8Pa·L/s
源炉接口数量 12-20（口径及数量可定制）
技术服务 3-5 3-5 技术服务
第19页
FW60 简介
PRODUCT DESCRIPTION
35 Page MOLECULAR BEAM EPITAXY MOLECULAR BEAM EPITAXY Page 36
SKY MBE SKY MBE
PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE
1999 年“激光分子束外延设备
“和关键技术研究取得国家科
技进步奖三等奖
1998 年“分子束外延设备”（验
收合格）取得国家级火炬计划
项目
1991 年“金属有机源分子束外
延设备课题组“荣获院七五重
大科研任务先进集体
1990 年“分子束外延生产设备 FW-4 型“—
国家级新产品
1985 年“分子束外延技术的研究“荣获国家科技
进步奖二等奖
1998 年“激光分子束外
延设备和关键技术研究
“荣获院科技进步一等
奖
1993 年“金属有机源分子束外
延设备（MOMBE）和 MBE- Ⅳ
型分子束外延设备“荣获国家
科技进步奖二等奖
1991 年“金属有机源分子束外延设备
（MOMBE）“荣获机械电子工业部
科技攻关奖
1990 年“ 金 属 有 机 分 子 束 外 延 设 备
（MOMBE）“荣获国家级新产品
1980 年“分子束外延设备”荣获中国科学院科技
成果一等奖
获奖情况
AWARDS
关于荣誉 4 4 关于荣誉
第20页
SKY MBE SKY MBE
37 PAGE Molecular Beam Epitaxy Molecular Beam Epitaxy PAGE 38
不忘来时路 不惧新征程
专利情况
PATENTS
关于荣誉 4
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